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水晶発振器:LowNoise -140dBc(1KHz) & 高温動作
-40℃ to 150℃
(32KHz to 220MHz)/シリコン発振器
(32K to 100MHz)/MR・HALL磁気センサー/LDO・V/D
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AnaSemHoldings.
     
Products

水晶発振器/Series
VC-OCXO
TCXO
SPXO
VCXO

シリコン発振器/Series
CMOS Monolithic OSC(CMO)
CMOS Monolithic VCO(VCMO)

電源用IC/Series
ホルテージレギュレータ:
     V/R(LDO)

ハイスピード:VRH
ローパワー:VRR/VRS
2chハイスピード:VRD

電源用IC/Series
ホルテージレギュレータ:
     V/R(LDO)

ハイスピード:VRH
ローパワー:VRR/VRS
2chハイスピード:VRD

ボルテージデイテクター:
    リセット-IC

リセットIC:VDA
デイレー付きリセットIC:VDD

磁気センサーIC/Series
MRセンサー:
MRX/MRYSeries(1.5mT/1.8V)

Hallセンサー:HMXSeries(3.0mT/3.3V)

 
千葉県船橋市前原東6丁目18-12
TEL:047-476-2768         
FAX:047-476-2758         
IP-Phone:050-3478-3032     
Mobile:080-5445-9609       
E-mail :
anasemholdings@gmail.com
HP:http://www.ansemholdings.com



VC-OCXO 7x5x1.8mm
ボルテージデイテクター+デイレー付き(リセットIC+Delay)VDD/Series
VDDシリーズは遅延回路を内蔵した電圧検出器です。低電圧検出・低消費電流検出・高精度を実現しています。
検出電圧の精度には温度特性を制御した高精度基準電圧を使用しています。
検出電圧と遅延時間はレーザトリミングにより、個々のデバイス毎に合わせこまれています。
遅延時間の構成には外付け部品は何も必要ありません。
*動作電圧範囲:0.7 to 6.0V
*検出電圧範囲:0.8 to 1.7V/1.8 to 6.0V
*検出精度:±2%/±1%
*消費電流:0.6μA/1.5V
*出力形態:CMOS/Nch open drain
*パッケージ:SOT-23/SON-4 
 
SOT-23  SON-4
*製品カタログ:ASH-VDD Series SOT-23/SON-4
VDD Series:Leak Cuurent/10nA/6V Hysterisis Range:±3% 
Reset-iIC
V/D+Delay
Parts No Operating
Voltage
Detect
Voltage
Delay
Time
Output
Circuit
Output Current
CMOS Vds=2.1V
Output Current
Nch Vds=0.5V
Power-Consu
mption/Typ
Operation
Temperature
Package Stock
1 VDD VDD181MCTA 0.7 to 6.0V 1.8V±1% 50 to 200ms CMOS Typ:-9.5mA/6V 0.7μA/2.0V -40 to 85℃ SOT-23 31,011
2 VDD VDD181MNTA 0.7 to 6.0V 1.8V±1% 50 to 200ms NchOD Typ:8.2mA/2.0V 0.7μA/2.0V -40 to 85℃ SOT-23 28,515
3 VDD VDD181LNNA 0.7 to 6.0V 1.8V±1% 10 to 50ms NchOD Typ:8.2mA/2.0V 0.7μA/2.0V -40 to 85℃ SON-4 6,428
4 VDD VDD201MNTA 0.7 to 6.0V 2.0V±1% 50 to 200ms NchOD Typ:8.2mA/2.0V 0.7μA/2.0V -40 to 85℃ SOT-23 16,817
5 VDD VDD221MCTA 0.7 to 6.0V 2.2V±1% 50 to 200ms CMOS Typ:-9.5mA/6V 0.7μA/2.0V -40 to 85℃ SOT-23 3,000
6 VDD VDD221MNTA 0.7 to 6.0V 2.2V±1% 50 to 200ms NchOD Typ:8.2mA/2.0V 0.7μA/2.0V -40 to 85℃ SOT-23 808
7 VDD VDD241MCTA 0.7 to 6.0V 2.4V±1% 50 to 200ms CMOS Typ:-9.5mA/6V 0.7μA/2.0V -40 to 85℃ SOT-23 6,479
8 VDD VDD251MNTA 0.7 to 6.0V 2.5V±1% 50 to 200ms NchOD Typ:8.2mA/2.0V 0.8μA/2.5V -40 to 85℃ SOT-23 40,312
9 VDD VDD251MNNA 0.7 to 6.0V 2.5V±1% 50 to 200ms NchOD Typ:8.2mA/2.0V 0.8μA/2.5V -40 to 85℃ SON-4 12,709
10 VDD VDD261MNNA 0.7 to 6.0V 2.6V±1% 50 to 200ms NchOD Typ:8.2mA/2.0V 0.8μA/2.5V -40 to 85℃ SON-4 4,306
11 VDD VDD271SNTA 0.7 to 6.0V 2.7V±1% 10 to 50ms NchOD Typ:8.2mA/2.0V 0.8μA/2.5V -40 to 85℃ SOT-23 7,144
12 VDD VDD271LCTA 0.7 to 6.0V 2.7V±1% 80 to 400ms CMOS Typ:-9.5mA/6V 0.8μA/2.5V -40 to 85℃ SOT-23 0
13 VDD VDD271MNTA 0.7 to 6.0V 2.7V±1% 50 to 200ms NchOD Typ:8.2mA/2.0V 0.8μA/2.5V -40 to 85℃ SOT-23 75,964
14 VDD VDD271MCTA 0.7 to 6.0V 2.7V±1% 50 to 200ms CMOS Typ:-9.5mA/6V 0.8μA/2.5V -40 to 85℃ SOT-23 9,000
15 VDD VDD281MNTA 0.7 to 6.0V 2.8V±1% 50 to 200ms NchOD Typ:11.1mA/3.0V 0.8μA/2.5V -40 to 85℃ SOT-23 9,369
16 VDD VDD291MNTA 0.7 to 6.0V 2.9V±1% 50 to 200ms NchOD Typ:11.1mA/3.0V 0.8μA/3.0V -40 to 85℃ SOT-23 15,069
17 VDD VDD301MCTA 0.7 to 6.0V 3.0V±1% 50 to 200ms CMOS Typ:-9.5mA/6V 0.8μA/3.0V -40 to 85℃ SOT-23 33,465
18 VDD VDD301LCTA 0.7 to 6.0V 3.0V±1% 80 to 400ms CMOS Typ:-9.5mA/6V 0.8μA/3.0V -40 to 85℃ SOT-23 18,094
19 VDD VDD301MNTA 0.7 to 6.0V 3.0V±1% 50 to 200ms NchOD Typ:11.1mA/3.0V 0.8μA/3.0V -40 to 85℃ SOT-23 71,965
20 VDD VDD331MCTA 0.7 to 6.0V 3.3V±1% 50 to 200ms CMOS Typ:-9.5mA/6V 0.8μA/3.0V -40 to 85℃ SOT-23 4,194
21 VDD VDD341MNTA 0.7 to 6.0V 3.4V±1% 50 to 200ms NchOD Typ:11.1mA/3.0V 0.8μA/3.0V -40 to 85℃ SOT-23 3,000